CSD75211W1723

厂家：: Texas Instruments
封装：: 12-DSBGA
数量：: 72
说明：: MOSFET Dual N-Channel Nex FET Power MOSFET

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CSD75211W1723 PDF参数资料

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中文参数如下：

商标名：NexFET
工厂包装数量：3000
上升时间：4.1 ns
功率耗散：1.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：1.6 ns
包装形式：Reel
封装形式：DSBGA-12
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：39 mOhms
漏极连续电流：4.5 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Texas Instruments

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