CSD86311W1723

厂家：: Texas Instruments
封装：: 12-DSBGA
数量：: 90
说明：: MOSFET Dual P-Channel Nex FET Pwr MOSFET

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CSD86311W1723 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：13.2 ns
商标名：NexFET
工厂包装数量：3000
上升时间：4.3 ns
功率耗散：1.5 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：3.1 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：6.4 S
下降时间：2.9 ns
包装形式：Reel
封装形式：WCSP-12
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：29 mOhms
漏极连续电流：4.5 A
闸/源击穿电压：10 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Texas Instruments

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