CSD87312Q3E

厂家：: Texas Instruments
封装：: 8-VSON（3.3x3.3）
数量：: 4436
说明：: MOSFET Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs

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CSD87312Q3E PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：17 ns
商标名：NexFET
上升时间：16 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：6.3 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：39 S
下降时间：2.8 ns
包装形式：Reel
封装形式：VSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：31 mOhms
漏极连续电流：27 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Texas Instruments

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