BSO612CV

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-DSO-8
数量：: 54
说明：: MOSFET N/P Channel 60V/-60V

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：25 ns, 145 ns
上升时间：35 ns, 60 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：4 S / 2 S
下降时间：30 ns, 95 ns
包装形式：Reel
封装形式：DSO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：90 mOhms, 220 mOhms
漏极连续电流：3 A, - 2 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V / - 60 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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