BSO615C G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 DSO-8
数量:
 8152  
说明:
 MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
BSO615C G-DSO-8图片

BSO615C G PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:BSO615CGHUMA1 BSO615CGXT SP000216311
典型关闭延迟时间:25 ns, 125 ns
上升时间:75 ns, 105 ns
功率耗散:2 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:18 ns, 90 ns
包装形式:Reel
封装形式:DSO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):70 mOhms, 190 mOhms
漏极连续电流:3.1 A, - 2 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:+/- 60 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

以上是BSO615C G的详细信息,包括BSO615C G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • BSO615N图片

    BSO615N

    MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC

  • BSO615N G图片

    BSO615N G

    MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 60V 2.6A

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC