BSO615C G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: DSO-8
数量：: 8152
说明：: MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR

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中文参数如下：

零件号别名：BSO615CGHUMA1 BSO615CGXT SP000216311
典型关闭延迟时间：25 ns, 125 ns
上升时间：75 ns, 105 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：18 ns, 90 ns
包装形式：Reel
封装形式：DSO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：70 mOhms, 190 mOhms
漏极连续电流：3.1 A, - 2 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：+/- 60 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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