BSO615CT

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-DSO-8
数量：: 72
说明：: MOSFET COMPLIMENT 60V 2A 8-SOIC

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中文参数如下：
FET 型N 和 P 沟道
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C110 毫欧 @ 3.1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)60V
Id 时的 Vgs(th)（最大）2V @ 20µA
闸电荷(Qg) @ Vgs22.5nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.1A, 2A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 380pF @ 25V
功率 - 最大2W
安装类型表面贴装

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