BSP 51 E6327

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-SOT223-4
数量：: 7641
说明：: 达林顿晶体管 NPN Silicn Darlingtn TRANSISTOR

一、本商品被浏览0次.

BSP 51 E6327 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
频率 - 跃迁：200MHz
功率 - 最大值：1.5 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：2000 @ 500mA，10V
电流 - 集电极截止（最大值）：10μA
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：1.8V @ 1mA，1A
电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A
晶体管类型：NPN - 达林顿
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

以上是BSP 51 E6327的详细信息，包括BSP 51 E6327厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：