BSO612CV G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 DSO-8
数量:
 7542  
说明:
 MOSFET Dual N/P Channel 60 V 3 A
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BSO612CV G PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:BSO612CVGHUMA1 BSO612CVGXT SP000216307
典型关闭延迟时间:25 ns, 145 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:35 ns, 60 ns
功率耗散:2 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:30 ns, 95 ns
包装形式:Reel
封装形式:DSO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):120 m Ohms
漏极连续电流:3 A, - 2 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:+ 60 V / - 60 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

以上是BSO612CV G的详细信息,包括BSO612CV G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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