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BSO612CV G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 DSO-8
数量：
 7542  
说明：
 MOSFET Dual N/P Channel 60 V 3 A
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BSO612CV G-DSO-8图片

BSO612CV G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BSO612CVGHUMA1 BSO612CVGXT SP000216307
典型关闭延迟时间：25 ns, 145 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：35 ns, 60 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：30 ns, 95 ns
包装形式：Reel
封装形式：DSO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：120 m Ohms
漏极连续电流：3 A, - 2 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：+ 60 V / - 60 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSO612CV G的详细信息，包括BSO612CV G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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