BSO613SPV G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: DSO-8
数量：: 8902
说明：: MOSFET SIPMOS PWR-TRNSTR

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中文参数如下：

零件号别名：BSO613SPVGHUMA1 BSO613SPVGXT SP000216309
典型关闭延迟时间：32 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：11 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：12 ns
包装形式：Reel
封装形式：DSO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.13 Ohms
漏极连续电流：3.44 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 60 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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