BSC750N10NDGATMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TDSON-8-4
数量：: 5445
说明：: MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON

一、本商品被浏览0次.

BSC750N10NDGATMA1 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
：
封装封装/外壳：8-PowerVDFN
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：26W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：720pF @ 50V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：11nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 12μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：75 毫欧 @ 13A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.2A
漏源电压（Vdss）：100V
FET 功能：-
配置：2 N-通道（双）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：停产
包装：OptiMOS?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

以上是BSC750N10NDGATMA1的详细信息，包括BSC750N10NDGATMA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：