BSC882N03LS G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: SON-8
数量：: 4158
说明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

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BSC882N03LS G PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：BSC882N03LSGATMA1 BSC882N03LSGXT SP000686916
上升时间：9 ns
功率耗散：69 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：27 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：100 S
下降时间：9.4 ns
包装形式：Reel
封装形式：SON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.2 mOhms
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：2 V
汲极/源极击穿电压：34 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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