BSC883N03LS G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TDSON
数量：: 6435
说明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

一、本商品被浏览0次.

BSC883N03LS G PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03LSGXT SP000507422
典型关闭延迟时间：26 ns
工厂包装数量：5000
功率耗散：2500 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TDSON
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.8 mOhms
漏极连续电流：17 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：34 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSC883N03LS G的详细信息，包括BSC883N03LS G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：