BSC886N03LS G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TDSON
数量：: 6462
说明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

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BSC886N03LS G PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：BSC886N03LSGATMA1 BSC886N03LSGXT SP000475950
典型关闭延迟时间：18 ns
工厂包装数量：5000
功率耗散：2500 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TDSON
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：6 mOhms
漏极连续电流：13 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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