BSC882N03MS G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TDSON-8
数量：: 6426
说明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

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BSC882N03MS G PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：BSC882N03MSGATMA1 BSC882N03MSGXT SP000507406
典型关闭延迟时间：24 ns
工厂包装数量：5000
上升时间：9 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：9.4 ns
包装形式：Reel
封装形式：TDSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0026 Ohms
漏极连续电流：22 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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