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BSC028N03MSC G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TDSON
数量：
 3789  
说明：
 MOSFET N-KANAL POWER MOS
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BSC028N03MSC G PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：BSC028N03MSCGATMA1 BSC028N03MSCGXT SP000507426
典型关闭延迟时间：23 ns
工厂包装数量：5000
上升时间：8.8 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：8.8 ns
包装形式：Reel
封装形式：TDSON
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0028 Ohms
漏极连续电流：21 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSC028N03MSC G的详细信息，包括BSC028N03MSC G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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