BLS6G2933S-130

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: SOT-922-1
数量：: 8172
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 130W, 2.9-3.3GHz Radar Appl.

一、本商品被浏览0次.

BLS6G2933S-130 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.135 Ohms
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 65 C
包装形式：Bulk
封装形式：SOT-922-1
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：13 V
漏极连续电流：33 A
汲极/源极击穿电压：60 V
输出功率：130 W
增益：12.5 dB
频率：2.9 GHz to 3.3 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：NXP

以上是BLS6G2933S-130的详细信息，包括BLS6G2933S-130厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管射频产品：

射频硅锗晶体管射频双极小信号晶体管射频JFET晶体管射频双极电源晶体管射频MOSFET小信号晶体管