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BLS6G3135S-20,112

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: SOT-608B
数量：: 7272
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 TRANS S-BAND RADAR LDMOS

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BLS6G3135S-20,112 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：20
安装风格：SMD/SMT
包装形式：Tube
封装形式：SOT-608B
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：13 V
漏极连续电流：2.1 A
汲极/源极击穿电压：60 V
输出功率：20 W
增益：15.5 dB
频率：3.1 GHz to 3.5 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
制造商：NXP

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