BLS6G3135S-120,112

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: SOT502B
数量：: 7263
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 TRANS S-BAND RADAR LDMSO

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BLS6G3135S-120,112 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：SOT502B
封装/外壳：SOT-502B
安装类型：底座安装
电压 - 额定：60 V
功率 - 输出：120W
电流 - 测试：100 mA
噪声系数：-
额定电流（安培）：7.2A
电压 - 测试：32 V
增益：11dB
频率：3.1GHz ~ 3.5GHz
配置：-
技术：LDMOS
产品状态：停产
包装：-
系列：托盘
品牌：Ampleon USA Inc.

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