BLS6G3135-120

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: SOT-502A
数量：: 8181
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS

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BLS6G3135-120 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BLS6G3135-120,112
工厂包装数量：20
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.16 Ohms
产品类型：MOSFET Power
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 65 C
包装形式：Tray
封装形式：SOT-502A
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：13 V
漏极连续电流：7.2 A
汲极/源极击穿电压：60 V
输出功率：120 W
增益：11 dB
频率：3.1 GHz to 3.5 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：NXP

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