BLS6G2731-6G

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: SOT975C
数量：: 8118
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 6W, 2.7-3.1GHz Radar Appl.

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BLS6G2731-6G PDF参数资料

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中文参数如下：

电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.26 Ohms
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 65 C
包装形式：Bulk
封装形式：SOT975C
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：13 V
漏极连续电流：3.5 A
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：NXP

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