BG 3123R E6327

厂家：: Infineon Technologies
封装：: SOT-363
数量：: 7038
说明：: 射频MOSFET小信号晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode

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BG 3123R E6327 PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：BG3123RE6327XT
工厂包装数量：12000
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SOT-363
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：200 mW
漏极连续电流：0.025 A
闸/源击穿电压：6 V
汲极/源极击穿电压：8 V
晶体管极性：N-Channel
配置：Dual
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET小信号晶体管
制造商：Infineon

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