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BG 3123R H6327

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 SOT-363
数量：
 3582  
说明：
 射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS
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BG 3123R H6327 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BG3123RH6327XT BG3123RH6327XTSA1 SP000753492
工厂包装数量：3000
系列：BG3123
功率耗散：200 mW
安装风格：SMD/SMT
包装形式：Reel
封装形式：SOT-363
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：6 V
漏极连续电流：25 mA
汲极/源极击穿电压：12 V
增益：25 dB
频率：800 MHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Dual
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：Infineon

以上是BG 3123R H6327的详细信息，包括BG 3123R H6327厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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