BG 3123R H6327

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 SOT-363
数量:
 3582  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS
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中文参数如下:

零件号别名:BG3123RH6327XT BG3123RH6327XTSA1 SP000753492
工厂包装数量:3000
系列:BG3123
功率耗散:200 mW
安装风格:SMD/SMT
包装形式:Reel
封装形式:SOT-363
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:6 V
漏极连续电流:25 mA
汲极/源极击穿电压:12 V
增益:25 dB
频率:800 MHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Dual
RoHS:是
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:Infineon

以上是BG 3123R H6327的详细信息,包括BG 3123R H6327厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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