BG 3130R H6327

厂家：: Infineon Technologies
封装：: SOT-363
数量：: 3618
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS

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BG 3130R H6327 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BG3130RH6327XT BG3130RH6327XTSA1 SP000753496
工厂包装数量：3000
系列：BG3130
功率耗散：200 mW
安装风格：SMD/SMT
包装形式：Reel
封装形式：SOT-363
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：6 V
漏极连续电流：25 mA
汲极/源极击穿电压：12 V
增益：24 dB
频率：800 MHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Dual
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：Infineon

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