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BG 5412K E6327

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 SOT-363
数量：
 3681  
说明：
 射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Ch MOSFET Tetrode
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BG 5412K E6327-SOT-363图片

BG 5412K E6327 PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：BG5412KE6327XT
工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
封装形式：SOT-363
安装风格：SMD/SMT
功率耗散：200 mW
漏极连续电流：0.025 A
闸/源击穿电压：+/- 6 V
汲极/源极击穿电压：8 V
晶体管极性：N-Channel
配置：Single Dual Gate
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET小信号晶体管
制造商：Infineon

以上是BG 5412K E6327的详细信息，包括BG 5412K E6327厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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