AGR18060EF

厂家：: TriQuint Semiconductor
封装：: 8060EF
数量：: 3249
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor

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AGR18060EF PDF参数资料

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中文参数如下：

产品类型：RF MOSFET Power
功率耗散：175 W
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 65 C
封装形式：8060EF
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：15 V
漏极连续电流：6.2 A
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：60 W
增益：14 dB
频率：1.8 GHz to 1.88 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：TriQuint

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