AGR19125EF

厂家：: TriQuint Semiconductor
封装：: 19125EF
数量：: 3312
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor

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中文参数如下：

产品类型：RF MOSFET Power
功率耗散：350 W
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 65 C
封装形式：19125EF
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：15 V
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：24 W
增益：15 dB
频率：1.93 GHz to 1.99 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：TriQuint

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