AGR19125EF

厂家:
  TriQuint Semiconductor
封装:
 19125EF
数量:
 3312  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
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AGR19125EF PDF参数资料

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中文参数如下:

产品类型:RF MOSFET Power
功率耗散:350 W
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 65 C
封装形式:19125EF
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:15 V
汲极/源极击穿电压:65 V
输出功率:24 W
增益:15 dB
频率:1.93 GHz to 1.99 GHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:TriQuint

以上是AGR19125EF的详细信息,包括AGR19125EF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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