AGR19K180EF

厂家：: TriQuint Semiconductor
封装：: 19K180E
数量：: 3330
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor

一、本商品被浏览0次.

AGR19K180EF PDF参数资料

中文参数如下：

安装风格：SMD/SMT
封装形式：19K180E
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：15 V
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：21.4 W
增益：12 dB
频率：1.84 GHz to 1.87 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Dual
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：TriQuint

以上是AGR19K180EF的详细信息，包括AGR19K180EF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管射频产品：

射频硅锗晶体管射频双极小信号晶体管射频JFET晶体管射频双极电源晶体管射频MOSFET小信号晶体管