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中文参数如下:
产品类型:RF MOSFET Power
功率耗散:500 W
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 65 C
封装形式:26180EF
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:15 V
汲极/源极击穿电压:65 V
输出功率:27 W
增益:12.5 dB
频率:2.535 GHz to 2.655 GHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Dual
RoHS:是
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:TriQuint
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