AGR18125EF

厂家：: TriQuint Semiconductor
封装：: 18125EF
数量：: 3267
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor

一、本商品被浏览0次.

AGR18125EF PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

产品类型：RF MOSFET Power
功率耗散：350 W
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 65 C
封装形式：18125EF
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：15 V
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：125 W
增益：13.5 dB
频率：1.8 GHz to 1.88 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：TriQuint

以上是AGR18125EF的详细信息，包括AGR18125EF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管射频产品：

射频硅锗晶体管射频双极小信号晶体管射频JFET晶体管射频双极电源晶体管射频MOSFET小信号晶体管