| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PTFB211503FL V2 | Infineon Technologies | H-34288-4/2 | 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 150W 2110-2170 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2.17 GHz，增益：18 dB，输出功率：32 W，汲极/源极击穿电压：... | ||||||
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PTFB211503FL V2 R250 | Infineon Technologies | H-34288-4/2 | 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 150W 2110-2170 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2.17 GHz，增益：18 dB，输出功率：32 W，汲极/源极击穿电压：... | ||||||
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PTFB211803EL V1 | Infineon Technologies | H-33288-6 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.3 A，闸/源击穿电压：10... | ||||||
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PTFB211803EL V1 R250 | Infineon Technologies | H-33288-6 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.3 A，闸/源击穿电压：10... | ||||||
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PTFB211803FL V1 | Infineon Technologies | H-34288-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.3 A，闸/源击穿电压：10... | ||||||
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PTFB211803FL V1 R250 | Infineon Technologies | H-34288-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.3 A，闸/源击穿电压：10... | ||||||
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PTFB211803FL V2 | Infineon Technologies | H-34288-4/2 | 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 180W 2110-2170 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2.17 GHz，增益：17.5 dB，输出功率：40 W，汲极/源极击穿电... | ||||||
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PTFB211803FL V2 R250 | Infineon Technologies | H-34288-4/2 | 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 180W 2110-2170 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2.17 GHz，增益：17.5 dB，输出功率：40 W，汲极/源极击穿电... | ||||||
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PTFB212503EL V1 | Infineon Technologies | H-33288-6 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.85 A，闸/源击穿电压：1... | ||||||
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PTFB212503EL V1 R250 | Infineon Technologies | H-33288-6 | 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 240W 2110-2170 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2.17 GHz，增益：18 dB，输出功率：55 W，汲极/源极击穿电压：... | ||||||
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PTFB212503EL V2 | Infineon Technologies | H-33288-6 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.85 A，闸/源击穿电压：1... | ||||||
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PTFB212503FL V1 | Infineon Technologies | H-34288-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.85 A，闸/源击穿电压：1... | ||||||
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PTFB212503FL V1 R250 | Infineon Technologies | H-34288-4/2 | 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 240W 2110-2170 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2.17 GHz，增益：18 dB，输出功率：55 W，汲极/... | ||||||
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PTFB212503FL V2 | Infineon Technologies | H-34288-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.85 A，闸/源击穿电压：1... | ||||||
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PTFB212503FL V2 R250 | Infineon Technologies | H-34288-4/2 | 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 240W 2110-2170 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2.17 GHz，增益：18 dB，输出功率：55 W，汲极/源极击穿电压：... | ||||||
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PTFB213004F V1 | Infineon Technologies | H-37275-6 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：2.4 A，闸/源击穿电压：10... | ||||||
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PTFB213004F V1 R250 | Infineon Technologies | H-37275-6/2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi-Power RF LDMOS 300W 2110-2170MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：2.17 GHz，增益：18 dB，输出功率：60 W，汲极/源极... | ||||||
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PTFB213004F V2 | Infineon Technologies | H-37275-6 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：2.4 A，闸/源击穿电压：10... | ||||||
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PTFB213004F V2 R250 | Infineon Technologies | H-37275-6/2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi-Power RF LDMOS 300W 2110-2170MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：2.17 GHz，增益：18 dB，输出功率：60 W，汲极/源极击穿电压：65... | ||||||
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PTFB241402F V1 | Infineon Technologies | H-37248-4 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1200 mA，闸/源击穿电压：... | ||||||
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