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PTFB211803EL V1

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 H-33288-6
数量：
 3267  
说明：
 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9
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PTFB211803EL V1 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：FB211803ELV1NP PTFB211803ELV1XWSA1 SP000812608
系列：PTFB211803
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.05 Ohms
最小工作温度：- 40 C
封装形式：H-33288-6
最大工作温度：+ 125 C
闸/源击穿电压：10 V
漏极连续电流：1.3 A
汲极/源极击穿电压：65 V
配置：Single
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：Infineon

以上是PTFB211803EL V1的详细信息，包括PTFB211803EL V1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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