| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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TPN22006NH,LQ | Toshiba | 8-PowerVDFN | MOSFET N-Ch 60V 21A 18W UMOSVIII 710pF 12nC | ||
| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：21 A，电阻汲极/... | ||||||
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TPN2R503NC,L1Q | Toshiba | 8-PowerVDFN | MOSFET N-Ch 30V 2230pF 40nC 2.5mOhm 85A 35W | ||
| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：85 A，电阻汲极/... | ||||||
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TPN30008NH,LQ | Toshiba | 8-PowerVDFN | MOSFET N-Ch 80V 22A 27W UMOSVIII 710pF 11nC | ||
| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：22 A，电阻汲极/... | ||||||
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TPN3300ANH,LQ | Toshiba | 8-PowerVDFN | 10,424 | MOSFET N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC | |
| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：21 A，电阻汲极... | ||||||
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TPN6R303NC,LQ | Toshiba | 8-TSON Advance（3.1x3.1） | MOSFET N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W | ||
| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：43 A，电阻汲极/... | ||||||
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TPS1100D | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 369 | MOSFET MOSFET 10ns RT | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 15 V，闸/源击穿电... | ||||||
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TPS1100DG4 | Texas Instruments | SOIC-8 | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：15 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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TPS1100DR | Texas Instruments | 8-SOIC | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：15 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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TPS1100DRG4 | Texas Instruments | SOIC-8 | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：15 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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TPS1100PW | Texas Instruments | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 555 | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：15 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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TPS1100PWG4 | Texas Instruments | TSSOP-8 | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：15 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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TPS1100PWR | Texas Instruments | 8-TSSOP | MOSFET NPN Enh Mode | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 15 V，闸/源击穿电... | ||||||
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TPS1100PWRG4 | Texas Instruments | TSSOP-8 | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：15 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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TPS1101D | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：15 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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TPS1101DG4 | Texas Instruments | SOIC-8 | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：15 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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TPS1101DR | Texas Instruments | 8-SOIC | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：15 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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TPS1101DRG4 | Texas Instruments | SOIC-8 | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：15 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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TPS1101PWR | Texas Instruments | 16-TSSOP | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：15 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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TPS1101PWRG4 | Texas Instruments | TSSOP-16 | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：15 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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TPS1120D | Texas Instruments | 8-SOIC | MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：15 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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