TPN6R303NC,LQ

厂家:
  Toshiba
封装:
 8-TSON Advance(3.1x3.1)
数量:
 4374  
说明:
 MOSFET N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W
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TPN6R303NC,LQ PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:55 ns
上升时间:6 ns
功率耗散:19 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:24 nC
下降时间:14 ns
包装形式:Reel
封装形式:TSON-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):5.2 mOhms
漏极连续电流:43 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Toshiba

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