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TPN6R303NC,LQ

厂家：: Toshiba
封装：: 8-TSON Advance（3.1x3.1）
数量：: 4374
说明：: MOSFET N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W

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TPN6R303NC,LQ PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：55 ns
上升时间：6 ns
功率耗散：19 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：24 nC
下降时间：14 ns
包装形式：Reel
封装形式：TSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.2 mOhms
漏极连续电流：43 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

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