TPS1100D

厂家：: Texas Instruments
封装：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
数量：: 7398
说明：: MOSFET MOSFET 10ns RT

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TPS1100D PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：13 ns
工厂包装数量：75
上升时间：10 ns
功率耗散：0.791 W
最小工作温度：- 40 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：2.5 S
下降时间：10 ns
包装形式：Tube
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 125 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.18 Ohms
漏极连续电流：+/- 1.6 A
闸/源击穿电压：- 15 V
汲极/源极击穿电压：- 15 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Texas Instruments

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