TPS1100DR

厂家：: Texas Instruments
封装：: 8-SOIC
数量：: 7047
说明：: MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET

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TPS1100DR PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：13 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：10 ns
功率耗散：791 mW
最小工作温度：- 40 C
下降时间：10 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 125 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：400 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：1.6 A
闸/源击穿电压：- 15 V, 2 V
汲极/源极击穿电压：15 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Texas Instruments

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