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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:19 ns
工厂包装数量:2000
上升时间:5.5 ns
功率耗散:710 mW
最小工作温度:- 40 C
下降时间:5.5 ns
包装形式:Reel
封装形式:TSSOP-16
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 125 C
配置:Single Hex Drain Quint Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):90 mOhms (Typ)
漏极连续电流:2.18 A
闸/源击穿电压:- 15 V, 2 V
汲极/源极击穿电压:15 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Texas Instruments
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