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TPS1120DG4

厂家：
  Texas Instruments
封装：
 SOIC-8
数量：
 7200  
说明：
 MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET
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TPS1120DG4-SOIC-8图片

TPS1120DG4 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：13 ns
工厂包装数量：75
上升时间：10 ns
功率耗散：0.84 W
最小工作温度：- 40 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：2.5 S
下降时间：10 ns
包装形式：Tube
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 125 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.18 Ohms
漏极连续电流：- 2.7 V
闸/源击穿电压：+ 2 V, - 15 V
汲极/源极击穿电压：15 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Texas Instruments

以上是TPS1120DG4的详细信息，包括TPS1120DG4厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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