TPS1101DG4

厂家:
  Texas Instruments
封装:
 SOIC-8
数量:
 7128  
说明:
 MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
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TPS1101DG4 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:19 ns
工厂包装数量:75
上升时间:5.5 ns
功率耗散:791 mW
最小工作温度:- 40 C
下降时间:5.5 ns
包装形式:Tube
封装形式:SOIC-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 125 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):90 mOhms (Typ)
漏极连续电流:2.3 A
闸/源击穿电压:- 15 V, 2 V
汲极/源极击穿电压:15 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Texas Instruments

以上是TPS1101DG4的详细信息,包括TPS1101DG4厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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