TPS1101DG4

厂家：: Texas Instruments
封装：: SOIC-8
数量：: 7128
说明：: MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET

一、本商品被浏览0次.

TPS1101DG4 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：19 ns
工厂包装数量：75
上升时间：5.5 ns
功率耗散：791 mW
最小工作温度：- 40 C
下降时间：5.5 ns
包装形式：Tube
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 125 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：90 mOhms (Typ)
漏极连续电流：2.3 A
闸/源击穿电压：- 15 V, 2 V
汲极/源极击穿电压：15 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Texas Instruments

以上是TPS1101DG4的详细信息，包括TPS1101DG4厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：