| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
TK16H60C(Q) | Toshiba | TO-3P(W) | MOSFET MOSFET N-Ch 600V 16A Rdson=0.4Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续... | ||||||
|
TK16J60W,S1VQ | Toshiba | TO-3P-3，SC-65-3 | MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC | ||
| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：15.8 A，电阻... | ||||||
|
|
TK17J65U(F) | Toshiba | MOSFET N-Ch MOS 17A 650V 190W 1450pF 0.26 | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
|
TK18A50D(STA4,Q,M) | Toshiba | TO-220SIS | MOSFET N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27 | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
|
|
TK18A60V(Q) | Toshiba | MOSFET N-Ch MOS 18A 600V 50W 2600pF 0.27 | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
|
|
TK18A60V(S4V,Q) | Toshiba | TO-220SIS-3 | 5 | MOSFET N-CH 600V 18A 45W 0.19 OHM | |
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，... | ||||||
|
TK18E10K3,S1X(S | Toshiba | TO-220-3 | MOSFET N-Ch MOS 18A 100V 71W 0.042 Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
|
|
TK19A45D(STA4,Q,M) | Toshiba | TO-220SIS | MOSFET N-Ch MOS 19A 450V 50W 2600pF 0.25 | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
|
|
TK20A25D(Q) | Toshiba | MOSFET N-Ch MOS 20A 250V 45W 2550pF 0.1 | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
|
|
TK20A60U(Q) | Toshiba | TO-220 SIS | MOSFET MOSFET N-Ch 600V 20A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲极/... | ||||||
.JPG)
|
TK20A60U(Q,M) | Toshiba | TO-220SIS | MOSFET MOSFET DTMOS-II N-CH 600V, 20A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，... | ||||||
|
TK20A60U(STA4,Q,M) | Toshiba | SC-67 | 92 | MOSFET N-Ch FET 600V 12s IDSS 100 uA | |
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲极/... | ||||||
|
|
TK20D60U(Q) | Toshiba | TO-220 AB | MOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 20A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲极/... | ||||||
|
|
TK20E60U,S1X(S | Toshiba | MOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19 | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
|
|
TK20H50C(Q) | Toshiba | TO-3P(W) | MOSFET MOSFET N-Ch 500V 20A Rdson=0.27Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续... | ||||||
|
|
TK20J60U(F) | Toshiba | TO-3P-3，SC-65-3 | MOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 20A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，... | ||||||
|
TK20P04M1,RQ(S | Toshiba | DPAK | MOSFET N-Ch MOS 20A 40V 27W 985pF 0.034 | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
|
TK55D10J1(Q) | Toshiba | TO-220-3 | MOSFET MOSFET N-Ch | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
TK56E12N1,S1X | Toshiba | TO-220-3 | MOSFET N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC | ||
| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：120 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：112 A，电阻汲... | ||||||
|
|
TK58E06N1,S1X | Toshiba | TO-220 | MOSFET 60V N-Ch PWR FET 105A 110W 46nC | ||
| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，包装形式：Bulk，... | ||||||
265/1326 首页 上页 [260] [261] [262] [263] [264] [265] [266] [267] [268] [269] [270] 下页 尾页
