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TK18A60V(S4V,Q)

厂家：
  Toshiba
封装：
 TO-220SIS-3
数量：
 7358  
说明：
 MOSFET N-CH 600V 18A 45W 0.19 OHM
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TK18A60V(S4V,Q) PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：45 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Tube
封装形式：TO-220SIS-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：190 mOhms
漏极连续电流：18 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是TK18A60V(S4V,Q)的详细信息，包括TK18A60V(S4V,Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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