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TK16H60C(Q)

厂家：: Toshiba
封装：: TO-3P(W)
数量：: 387
说明：: MOSFET MOSFET N-Ch 600V 16A Rdson=0.4Ohm

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TK16H60C(Q) PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：20
上升时间：60 ns
功率耗散：150 W
下降时间：50 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-3P(W)
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.4 Ohms
漏极连续电流：16 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是TK16H60C(Q)的详细信息，包括TK16H60C(Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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