TK16V60W,LVQ

厂家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封装:
 4-DFN-EP(8x8)
数量:
 4032  
说明:
 MOSFET N-CH 600V 15.8A 4DFN
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TK16V60W,LVQ-4-DFN-EP(8x8)图片

TK16V60W,LVQ PDF参数资料

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中文参数如下:
:150°C(TJ)
功率耗散(最大值):139W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1350 pF @ 300 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):38 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 790μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):190 毫欧 @ 7.9A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.8A(Ta)
漏源电压(Vdss):600 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:在售
包装:DTMOSIV
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

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