TK18A30D,S5X

厂家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封装：: TO-220SIS
数量：: 3843
说明：: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

一、本商品被浏览0次.

TK18A30D,S5X PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
：150°C
功率耗散（最大值）：45W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2600 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：60 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：139 毫欧 @ 9A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18A（Ta）
漏源电压（Vdss）：300 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TK18A30D,S5X的详细信息，包括TK18A30D,S5X厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：