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TK16V60W5,LVQ

厂家：
  Toshiba Semiconductor and Storage
封装：
 4-DFN-EP（8x8）
数量：
 4545  
说明：
 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
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TK16V60W5,LVQ PDF参数资料

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中文参数如下：
：150°C
功率耗散（最大值）：139W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1350 pF @ 300 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：43 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 790μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：245 毫欧 @ 7.9A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15.8A（Ta）
漏源电压（Vdss）：600 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：DTMOSIV
系列：卷带（TR）
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TK16V60W5,LVQ的详细信息，包括TK16V60W5,LVQ厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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