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TK16J60W,S1VQ

厂家：
  Toshiba
封装：
 TO-3P-3，SC-65-3
数量：
 7308  
说明：
 MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
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TK16J60W,S1VQ PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：100 ns
上升时间：25 ns
功率耗散：130 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：38 nC
下降时间：5 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-3P
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.16 Ohms
漏极连续电流：15.8 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

以上是TK16J60W,S1VQ的详细信息，包括TK16J60W,S1VQ厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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