TK20H50C(Q)

厂家:
  Toshiba
封装:
 TO-3P(W)
数量:
 396  
说明:
 MOSFET MOSFET N-Ch 500V 20A Rdson=0.27Ohm
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TK20H50C(Q) PDF参数资料

中文参数如下:

工厂包装数量:20
上升时间:26 ns
功率耗散:150 W
下降时间:40 ns
包装形式:Bulk
封装形式:TO-3P(W)
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.27 Ohms
漏极连续电流:20 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:500 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba

以上是TK20H50C(Q)的详细信息,包括TK20H50C(Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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