TK56E12N1,S1X

厂家:
  Toshiba
封装:
 TO-220-3
数量:
 8640  
说明:
 MOSFET N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC
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TK56E12N1,S1X PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:73 ns
上升时间:20 ns
功率耗散:168 W
栅极电荷 Qg:69 nC
下降时间:23 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):5.8 mOhms
漏极连续电流:112 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:120 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Toshiba

以上是TK56E12N1,S1X的详细信息,包括TK56E12N1,S1X厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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