| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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DMG9926UDM-7 | Diodes Inc. | SOT-26 | 47,047 | MOSFET MOSFET SOT-26 20V, 3.2/4.2A | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：4.2 A，电... | ||||||
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DMG9926USD-13 | Diodes Inc. | 8-SO | 131,139 | MOSFET MOSFET,N-CHANNEL | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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DMG9933USD-13 | Diodes Inc. | 8-SO | 29,990 | MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 12V VGSS | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMG9N65CT | Diodes Inc. | TO-220-3 | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 650V 10V VGS 9.0A | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，漏极连续电流：9 A，电阻汲极/源极 RDS（导通... | ||||||
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DMHC3025LSD-13 | Diodes Inc. | 8-SO | 77,871 | MOSFET 30V Comp ENH Mode H-Bridge 20V VGSS | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V, - 30 V，漏极连续电流：6 A, ... | ||||||
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DMS2120LFWB-7 | Diodes Inc. | 8-VDFN 裸露焊盘 | MOSFET 20V 2.9A P-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMS2220LFDB-7 | Diodes Inc. | U-DFN2020-6（B 类） | MOSFET 20V 3.5A P-CHNL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMS2220LFW-7 | Diodes Inc. | 8-DFN3020（3x2） | MOSFET 20V 2.9A P-CHNL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMS3012SFG-13 | Diodes Inc. | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 3K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMS3012SFG-7 | Diodes Inc. | PowerDI3333-8 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMS3014SFG-7 | Diodes Inc. | 8-PowerVDFN | 11,885 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMS3014SSS-13 | Diodes Inc. | 8-SO | MOSFET DIOFET MOSFETN-CHAN ENH MDE SCHOT DIODE | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：10.4 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
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DMS3015SSS-13 | Diodes Inc. | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 28,057 | MOSFET MOSFET N-CHAN | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：11 A，电阻汲极/源极 RDS（导通... | ||||||
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DMS3016SSS-13 | Diodes Inc. | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DIOFET MOSFETN-CHAN ENH MDE SCHOT DIODE | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：9.8 A，电阻汲极/源极 RDS（导... | ||||||
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DMS3016SSSA-13 | Diodes Inc. | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SO-8,2.5K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMS3017SSD-13 | Diodes Inc. | 8-SO | MOSFET Dual N-Ch DIOFET VDSS 30V VGSS 20V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：8 A，电阻... | ||||||
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DMS3019SSD-13 | Diodes Inc. | 8-SO | MOSFET Dual N-Ch DIOFET VDSS 30V VGSS 12V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：7 A，电阻... | ||||||
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DMN62D1SFB-7B | Diodes Inc. | 3-UFDFN | 142,438 | MOSFET MOSFET BVDSS | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMN63D0LT-7 | Diodes Inc. | - | 3,000 | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 V-100V SOT523 T&R 3K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMN63D8LV-7 | Diodes Inc. | SOT-563 | 140,925 | MOSFET Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：260 mA，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
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