DMG9N65CT

厂家：: Diodes Inc.
封装：: TO-220-3
数量：: 5805
说明：: MOSFET N-Ch Enh Mode FET 650V 10V VGS 9.0A

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：122 ns
上升时间：29 ns
功率耗散：3.15 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：39 nC
下降时间：28 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.3 Ohms
漏极连续电流：9 A
汲极/源极击穿电压：650 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Diodes Inc.

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