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DMHC3025LSD-13

厂家：
  Diodes Inc.
封装：
 8-SO
数量：
 83748  
说明：
 MOSFET 30V Comp ENH Mode H-Bridge 20V VGSS
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DMHC3025LSD-13-8-SO图片

DMHC3025LSD-13 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：17.5 ns, 28.2 ns
上升时间：15 ns, 4.9 ns
功率耗散：1.5 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：5.4 nC, 5.5 nC
下降时间：8.7 ns, 13.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：25 mOhms, 50 mOhms
漏极连续电流：6 A, - 4.2 A
汲极/源极击穿电压：30 V, - 30 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
制造商：Diodes Inc.

以上是DMHC3025LSD-13的详细信息，包括DMHC3025LSD-13厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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